Moderní elektronice kralují polovodiče, leč mají svá omezení a začínají narážet na materiálové limity. Protože rychlost pohybu elektronů v polovodičích je omezená, zvýšení rychlosti elektronických prvků by bylo možné pomocí vakua jako u klasických a částečně překonaných vakuových elektronek. Však také stále mají své místo v terahertzových aplikacích a u mikrovlnného permaktronu. Emise elektronů z pevné látky do vakua vyžaduje dosti energie, což brání většímu rozšíření vakua v elektronice. Se zajímavým řešení tohoto problému přišli Ebrahim Forati, Tyler J.Dill, Andrea R.Tao a Dan Sievenpiper z University of California v San Diegu. Speciálně upravili kovový povrch tak, že k vyvolání fotoemise elektronů stačí infračervené záření. Stane se tak díky plasmonové rezonanci, což jsou kmity vodivostních elektronů na rozhraní prostředí s různou permitivitou. Na snímku pořízeném rastrovacím elektronovým mikroskopem vidíme (a) detail speciálně upraveného povrchu a (b) celé zařízení (Forati, E. et al. Photoemission-based microelectronic devices. Nat. Commun. 7, 13399 doi: 10.1038/ncomms13399 (2016)).